半导体制造向高集成度演进的趋势下，对成像技术提出了更严苛的要求。由于硅材料对可见光具有极强的吸收性，可见光成像难以检测晶圆内部的划痕、碎裂等 “隐性问题”。
随着机器视觉检测技术的不断发展，短波红外成像技术通过利用硅材料在1100nm以上红外波段的透射特性，实现透视硅片内部的缺陷检测，从而提高检测效率和质量，降低制造成本。
迈德威视自主研发的MV-GEC31I，搭载InGaAs高灵敏度探测器，兼具半导体制冷、高帧率与便捷集成特性，专为低照度科研短波红外成像及显微成像设计，赋能半导体领域智能质检升级。
SWIR高灵敏探测
打破成像障碍，突破可见光局限。相机搭载的InGaAs探测器对0.9-1.7μm的SWIR光具有极高响应。其高量子效率（≥70%@1.55μm）与高灵敏度（≥0.8A/W），在短波红外波段具有极高的光电转换效率，能有效识别晶圆内部隐裂、微划痕、金属线路氧化等肉眼不可见的缺陷。
极端环境下稳定成像
半导体制冷，可制冷环境温度差20度。大幅降低热噪声，避免高温导致的图像噪点掩盖半导体微小缺陷。
黑电平矫正，图像均匀性好。确保整个视场内测量结果的一致性和可靠性。
满足高效率产线
640×512全分辨率下可达到354fps的检测速度，可匹配半导体产线的高速传输节拍。通过设置ROI灵活截取关键区域图像，可进一步提升帧率，减少数据传输量，满足高精度、高速度的双重需求。
应用案例
短波红外（SWIR）成像具备高对比度优势，能凸显目标细微特征，为半导体晶圆内部缺陷检测、裂纹排查等提供高效解决方案。
| MV-GEC31I | |
| 产品名称 | 红外相机 |
| 传感器类型 | InGaAs |
| 像元尺寸 | 15umx15um |
| 曝光方式 | 帧曝光 |
| 有效像素 | 30万 |
| 灵敏度 | ≥0.8A/W |
| 分辩率@帧率 | 640×512 MAX@354fps |
| 散热方式 | TEC半导体制冷，可制冷环境温度温差20度 |
应用行业
填充检查 |
塑料分类检测 |
光伏检测 |
食品检测 |
公司产品线覆盖全面，是国内少数能同时提供USB2.0/3.0、GigE、万兆网接口的常规工业相机，以及基于X86、ARM平台的智能相机的工业相机厂家。其软件完善度国内领先，SDK可支持Windows、Linux、ARM linux和苹果MAC OS系统。同时，我们还承接各种高中低端的相机定制开发服务。其产品与解决方案已广泛应用于科研、智能交通、生物医疗、非标自动化等领域，并与众多高校、科研机构及行业龙头企业建立长期稳定的合作关系。
